美光于上周公布2017财年Q1季度财报，当季营收39.7亿美元，环比上涨23%，同比上涨19%，净利润1.8亿美元，较上个季度净亏损1.7亿美元，实现扭亏为盈，表现超市场预期。
收入来源构成中，DRAM与NAND表现强劲。DRAM及NAND环比出货量分别上升18%及26%、且DRAM单价环比大幅上升5%，推动整体毛利率上升至25%、环比增长7%。公司本季度净营收达1.8亿美元，较上季度亏损1.7亿美元大幅转好，但仍低于去年同期的2.06亿美元。尽管业绩仍在下滑，但公司表现已经超越市场预期。
公司杠杆比率有所降低，总债务（长期+短期债务）降低超2.65亿美元，净债务为53.21亿美元。EBITDA为34.6亿美元，对应净债务/EBITDA为1.54x。
存储器是IC产业的重要应用领域，占整个半导体市场规模超20%。该领域具有极高的技术壁垒和资本壁垒，在全球形成寡头垄断格局，包括美光在内的3-4家厂商垄断全球90%以上的市场，而国内发展相对滞后。
近几年来，存储产品受益于移动智能终端快速渗透，产品需求的高速增长，过去三年复合增长率18%，远高于半导体行业整体7%的增长速度，成为整个半导体产业增长的主要推动力。
多方利好刺激，下半年存储器价格上涨
存储器历经自2015年起一年半的低迷，自今年下半年起价格一路上扬。固态硬盘、内存条等产品大幅涨价，且经常处于缺货状态。此番涨价主要原因一方面在于各大存储厂商均处在2D NAND转向3DNAND的重要节点，出货能力受限；另一方面，全球主流消费电子厂商为拓展份额纷纷加大布局，智能手机、固态硬盘对存储器需求大增导致供不应求。
由于上半年跌幅较大，IC Insights预计2016全球存储器市场同比小幅下降1%。尽管如此，2017年存储器市场受3D NAND替代2D NAND以及下游消费电子持续强劲需求等因素驱动，涨价预期强烈。2015年全球存储器市场陷入困境。尽管存在供应商合并、产能控制、新型应用频出等诸多利好，都未提振2015年的存储器市场。个人电脑市场的低迷导致存储器库存过多，从而在2015年下半年出现了价格暴跌，2015年存储器销售额最终为780亿美元，同比下降了3%。从2016年下半年开始情况出现反转，存储器价格开始变得异常坚挺，而且持续到2016年末。
目前主流的闪存Planar NAND，属于2D NAND。16nm、28nm仍然是NAND Flash的主流制程。随着2D NAND Flash制程微缩逐渐逼近物理极限，平面微缩工艺的难度越来越大，尤其是进入16nm后，继续采用平面微缩工艺的难度和成本已经超过3DTSV技术，厂商需要花更大的成本弥补尺寸缩小带来的可靠性减损，NAND尺寸已经达到一个可承受成本的临界值。几大存储器龙头公司在13-14年均已成功量产16nmNAND，但出于经济意义和未来发展前景的考虑，这些公司都没有进一步推出更小的平面制程，而是纷纷开始转攻3DNAND。
3D NAND替代2D NAND，量产不足导致供应趋紧
相比之下，3D NAND不是从尺寸减小的角度来提高NAND的容量、降低成本，而是通过堆叠更多的层数来实现。3D NAND闪存的容量、性能、可靠性都能同时保障，如东芝的15nmNAND容量密度为1.28Gb/mm2，而三星32层堆栈的3DNAND可达到1.87Gb/mm2，48层堆栈的则可以达到2.8Gb/mm2。
为缩短投产周期，2016年原厂大多选择直接将2D工厂改生产3D NAND生产线，其中三星把Fab16 16nm产线改投产48层3D NAND，东芝、美光、SK海力士也将部分2D生产线用于投产3DNAND，导致2016年2D NAND产出少。2016年NAND Flash供货紧张，不能满足持续增长的市场需求，尤其在需求量旺盛下半年，各大厂商出货倍感压力，推动NAND Flash价格的持续走高。
在3D NAND量产方面，尽管各厂全力推动3D NAND量产，但进展不够顺利，良率不高。2016年三星3D NAND到年底生产比重才提升至40%，主要用于生产自家品牌的SSD、嵌入式产品。东芝、美光、SK海力士几家占比更是不到10%，东芝和SK海力士基本上不对外销售3DNAND，仅美光对外销售部分3DNAND。2DNAND产出减少，3DNAND产出有限是导致2016年市场供应紧张的主因。
主流厂商扩产，2017年成3D NAND落地元年
三星是最早量产3D NAND的厂商，其他几家公司在3D NAND闪存量产上要落后三星至少1~2年时间。Intel、美光去年才推出3D NAND闪存，Intel之后才发布了首款3D NAND闪存的SSD，主要是面向企业级市场。
这四家巨头公司生产3D NAND闪存所用的技术不同，堆栈的层数也不一样。2017年原厂3D技术都将提升到64层堆叠，单颗Die存储密度可以提升到512Gb，从原厂工厂规划可以看出，四大厂商将全面进入3D时代，预计3D NAND产能将从2017年Q2开始将逐渐释放出来。
下游需求强劲+产能短期释放困难，NAND价格仍有上行空间
尽管NAND价格经历下半年的持续上扬，但仍然未有下行迹象，2017年价格依然存在较大的上行空间。上涨逻辑主要来源于以下几个方面：
（一）智能手机等消费电子产品更新迭代需求迫切，不断提升包括存储器在内硬件配置是智能手机红海生存的策略
当前全球智能手机市场趋于饱和，主流手机厂商为争夺市场份额不断提高硬件配置。目前各厂商主流级产品普遍搭载4G或6G的RAM，64G以上的ROM，刺激对存储器的需求。据台媒报道，华为和OPPO因存储器供应短缺，将在下季度砍单10%。Strategy Analytics统计，2016年Q3全球商务智能手机出货量达1.12亿部，同比增长19.4%。
SSD与传统HDD相比，具有体积小、读取速度快，散热要求低等优势，未来必将成为个人电脑和服务器硬盘的首选存储介质。随着个人、企业、互联网服务行业、工业应用等对数据存储需求的增加，2016年SSD市场需求表现强劲。在消费类市场，SSD正在快速吞噬HDD市场份额，且主流容量正在由120GB向240GB需求转移。在企业级市场，SSD平均容量也超过1.2TB。
（二）SSD需求崛起，明年将呈现爆发式增长态势，拉动NAND需求
2016年全球SSD出货量达1.3亿台，较2015年成长35%，存储密度将达到440亿GB当量，约占NAND Flash总产量的38%，预计2017年增至690亿GB。据DRAM eXchange预估，2017年全球整体SSD需求增长率将达到60%，或将取代嵌入式产品成为NAND Flash最大的应用市场。
自2016年Q2起，各大存储器厂商加速2D NAND转进3D NAND进程，厂商将资源更多投入到3D NAND的研发和生产中，2DNAND产量受到限制。闪存颗粒的整体输出降低，必然会影响SSD等终端产品的出货量。
（三）主流半导体厂商处于2DNAND向3DNAND过渡期，2DNAND产能削减和3DNAND产能难以短期大量释放导致供给端增长有限，明年供给端依然承压
由于2D NAND生产线被3D NAND代替，加上3D NAND的量产严重不足，良品率和性能难以保证，短期内产能不会有大的释放。这将可能从整体上导致闪存颗粒的总出厂量无法满足市场需求，抬高NAND市场价格。
据预测，2017年NAND闪存的产能仅会增加6%，在2D闪存市场占比逐步走低的情况下,3DNAND的供货在2017年三季度之后才会趋于稳定。
